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澳门1娱乐,8月原厂新品推荐:MOSFET、测试芯片、通用MCU、隔离开关、功率电感器

2019-12-25 14:41:59   来源:网络

澳门1娱乐,8月原厂新品推荐:MOSFET、测试芯片、通用MCU、隔离开关、功率电感器

澳门1娱乐,8月12日,vishay推出新款60 v trenchfet®第四代n沟道功率mosfet——siss22dn,业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件,10 v条件下最大导通电阻降至4 mw,采用热增强型3.3 mm * 3.3 mm powerpak® 1212-8s封装。siss22dn专门用于提高功率转换拓扑结构的效率和功率密度,栅极电荷仅为22.5 nc,同时具有低输出电荷(qoss)。

与逻辑电平60 v器件不同,siss22dn提高了典型vgs(th)和miller(米勒)平台电压,适用于栅极驱动电压高于6 v的电路,器件最佳动态特性缩短死区时间,防止同步整流应用发生击穿。siss22dn业内低导通电阻比排名第二的产品低4.8%——与领先的逻辑电平器件不相上下——qoss为34.2 nc,qoss与导通电阻乘积,即零电压开关(zvs)或开关柜拓扑结构功率转换设计中,mosfet的重要优值系数(fom)达到最佳水平。为实现更高功率密度,器件比6 mm * 5 mm封装类似解决方案节省65%的pcb空间。

siss22dn改进了技术规格,经过调校最大限度降低导通和开关损耗,多电源管理系统构件可实现更高效率,包括ac/dc和dc/dc拓扑结构同步整流、dc/dc转换器主边开关、降压-升压转换器半桥mosfet功率级,以及通信和服务器电源or-ing功能、电动工具和工业设备电机驱动控制和电路保护、电池管理模块的电池保护和充电。mosfet经过100 % rg和uis测试,符合rohs标准,无卤素。

8月7日格芯宣布,已流片生产基于arm®的3d高密度测试芯片,可提升人工智能/机器学习(ai/ml)和高端消费电子移动及无线解决方案等计算应用的系统性能与能效。新芯片采用格芯12lp finfet工艺制造,运用arm 3d网状互连技术,核心间数据通路更为直接,可降低延迟,提升数据传输率,满足数据中心、边缘计算和高端消费电子应用的需求。

此外,两家公司还验证了一种3d可测试性设计(dft)方法,使用格芯的晶圆与晶圆之间的混合键合,每平方毫米可连接多达100万个3d连接,拓展了12nm设计在未来的应用。

8月21日,vishay推出一款新型ihdm边绕通孔电感器——ihdm-1008bc-30,额定电流达150 a,适用于工业和国防应用。ihdm-1008bc-30采用铁粉合金磁芯技术,在-40℃至+180℃苛刻的工作温度范围内,具有出色的电感及饱和稳定性,功耗低,散热性能优异。

该款器件边绕线圈的直流电阻(dcr)低至0.25 mw,最大限度减少损耗,改进额定电流性能,有助于提高效率。与基于铁氧体的解决方案相比,ihdm-1008bc-30在+125℃条件下,额定电流和饱和电流分别提高30%。电感达到饱和电流以后不会有电感值急剧的下降,饱和电流不受温度影响。

该电感器工作电压高达350 v,适用于大电流、高温应用中的dc/dc转换器、逆变器、电机和开关噪声抑制、大功率开关电源,包括工业太阳能系统,电动汽车充电站,以及国防系统。

8月22日,兆易创新正式推出全球首个基于risc-v内核的gd32v系列32位通用mcu产品,并提供从芯片到程序代码库、开发套件、设计方案等完整工具链支持并持续打造risc-v开发生态。

• 基于risc-v的bumblebee内核(与芯来科技合作设计);

• 主频108mhz,16k-128k flash闪存,8k-32k sram缓存;

• 2.6-3.6v供电,i/o口可承受5v电平;

• 配备1个支持三相pwm互补输出和霍尔采集接口的16位高级定时器可用于矢量控制;4个16位通用定时器;2个16位基本定时器;2个多通道dma控制器;中断控制器(eclic)提供68个外部中断、可嵌套16个可编程优先级;

• 集成2个2.6m sps采样率的12位高速adc,提供16个可复用通道,支持16-bit硬件过采样滤波功能和分辨率可配置功能;2个12位dac;

• 外设连接包括usar *3、uart *2、spi *3(支持四线制,新增多种传输模式,可扩展quad spi nor flash实现高速访问)、i2c *2(支持快速plus(fm+)模式,频率最高1mhz(1mb/s))、i2s *2、can2.0b *2,usb 2.0 fs otg *1(支持device、host、otg等多种模式),exmc(外部总线扩展控制器,可连接nor flash、sram等外部存储器);

• -40℃~85℃工业级操作温度;

• 每颗芯片唯一id,gflash专利技术,实现片上存储加密技术;

• 对应的arm产品型号(gd32v对应gd32),封装与引脚兼容、软件开发兼容。

8月29日,tt electronics 推出两款新型表面贴装设备(smd)功率电感器:用于高频率电源转换系统和emi滤波器应用的hm66m系列,以及用于高密度和高频直流/直流(dc/dc)转换器应用的hm78m系列。

hm66m系列功率电感器专为复杂的工业和电子通信市场而设计。hm66m是一款屏蔽式微缩薄型smd电感器,集成了铁氧体磁芯,以提供显著的电导率和温度优势。这些电感器的特点是高频损耗低,非常适合以gan为基础的快速开关功率半导体工作的电源和变频器。功率电感已在700 khz至4 mhz的频率范围内进行了优化,适用于要求开关频率高达4mhz且工作温度为125℃的系统。

hm78m系列功率电感器是一款屏蔽式、基于铁氧体的smd电感器,专为工业市场中常见的高频直流/直流(dc/dc)转换器配置应用而设计。凭借其高电感和高电流值,这些功率电感器提供100 khz至3 mhz的开关频率配置范围,使其适合用作降压转换器或emi滤波器。

8月29日,silicon labs(称“芯科科技”)推出了一系列紧凑、可靠的隔离智能开关,即使在最恶劣的工业环境中,它们依旧可以驱动任意负载。新型si834x隔离开关非常适合驱动电阻和电感负载,例如工业控制系统中的电磁阀、继电器和灯等,这些系统包括可编程逻辑控制器(plc)、i/o模块、继电器驱动器和伺服电机控制器等。每个隔离开关都进行了电气隔离,以确保安全性,通过采用silicon labs突破性的基于cmos的隔离技术,与传统的基于光耦合器的隔离相比,具有更高的可靠性和性能,包括超过100kv/μs的高共模瞬变抗扰度(cmti)。

si834x隔离开关系列产品支持高侧和低侧开关选项、低导通电阻(145 mΩ ron)、符合iec 61131-2标准的高达700ma的连续电流、全面的保护和诊断报告、以及用于工业自动化系统的先进配置、监控和控制。开关逻辑接口可以像四个低功耗cmos数字输入一样简单,也可以像全串行外设接口(spi)一样丰富和灵活,可通过4个mcu引脚控制多达128个通道。